1998年，Infineon公司推出冷mos管，它采用&qhttp://weihai.tjsdtl.com/uot;超级结"(Super-Junction)结构，故又称超结功率 MOSFET。工作电压600V～800V，通态电阻几乎降低了一个数量级，仍保持速度快的特点，是一种有发展前途的高频功率半导体电子器件。
IGBT刚出现时，电压、电流额定值只有600V、25A。很长一段时间内，耐压水平限于1200V～1700V，经过长时间的探索研究和改进，现在 IGBT的电压、电流额定值已分别达到3300V/1200A和4500V/1800A，高压IGBT单片耐压已达到6500V，一般IGBT的工作频率上限为20kHz～40kHz，基于穿通(PT)型结构应用新技术制造的IGBT，可工作于150kHz(硬)和300kHz(软)。
IGBT的技术进展实际上是通态压降，快速和高耐压能力三者的折中。随着工艺和结构形式的不同，IGBT在20年历史发展进程中，有以下几种类型：穿通(PT)型、非穿通(NPT)型、软穿通(SPT)型、沟漕型和电场截止(FS)型。
碳化硅SiC是功率半导体器件晶片的理想材料，其优点是：禁带宽、工作温度高(可达600℃)、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、 PN结耐压高等，有利于制造出耐高温的高频半导体电子元器件。
可以预见，碳化硅将是21世纪最可能成功应用的新型功率半导体器件材料。摘自：七台河箱式变压器
